TSMC Mulai Fabrikasi Silicon 3nm

Masih ingat dengan TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co) yang menggarap proyek HBM2 untuk AMD Radeon? Kini TSMC sedang merampungkan proyek fabrikasi silicon dengan basis pemrosesan 3nm. Hal ini tentunya akan menjadikan TSMC sebagai perusahaan semiconductor pertama di dunia yang berhasil menyentuh fabrikasi 3nm, bahkan mengalahkan Samsung dan IBM.

Sebelumnya IBM berhasil mencapai fabrikasi silicon 5nm dengan sistem yang dinamakan Gate All Around Field Effect Transistor (GAAFET). Untuk saat ini TSMC masih terus mengembangkan fabrikasi silicon 5nm berbasis FinFET (Fin Field Effect Transistor) yang dioptimalkan bagi penggunaan perangkat mobile serta aplikasi komputasi high performance yang dijadwalkan merampungkan persiapan produksi masal pada Q2 2019.

Dibanding dengan fabrikasi 7nm FinFET, TSMC 5nm FinFET mengadopsi EUV Lithography yang sangat penting dalam mengurangi proses multi-pattern yang lebih rumit dan mencapai ukuran die lebih kecil.

Kita semua telah merasakan pencapaian fabrikasi silicon ini dengan berbagai keunggulan tiap generasi dibandingkan generasi sebelumnya. Semakin kecil fabrikasi silicon maka semakin banyak transistor yang bisa ditanamkan pada keping chip, sehingga banyak fitur yang bisa disematkan padanya. Hal ini mendorong keluarnya standar baru di beberapa aspek komputasi, seperti meningkatnya kapasitas storage, memory DDR, meningkatnya kapasitas VRAM, dan reaksi peningkatan kinerja sistem secara keseluruhan.