Micron GDDR6 Selanjutnya Mampu Capai Kecepatan Hingga 20 Gbps

Micron sebagai salah satu produsen di bidang memori, dilaporkan tengah mengembangkan memori VRAM GDDR6 miliknya yang akan digunakan untuk kartu grafis generasi selanjutnya. Berdasarkan laporan tersebut, VRAM GDDR6 yang dirancang oleh Micron ini nantinya sanggup mencapai kecepatan hingga 20 Gbps.

Kecepatan VRAM GDDR6 awalnya hanya mencapai tahap standar JEDEC, yakni sekitar 16-18Gbps untuk kecepatan transfer. Micron nampaknya menjadi salah satu produsen yang berhasil mengembangkan kecepatan yang lebih tinggi hingga 20 Gbps.

Kecepatan tinggi ini berhasil didapat dengan cara melakukan sedikit penambahan voltase untuk VRAM. Walau belum disebutkan seberapa besar penambahan voltase yang dimaksudkan, serta seberapa besar peningkatan kecepatan pada jalur I/O untuk mendukung kecepatan transfer lebih tinggi tersebut.

Dibandingkan dengan VRAM generasi sebelumnya, GDDR5X yang mencapai top-speed sebesar 11-12 Gbps, GDDR6 juga mampu menghasilkan peningkatan performa hingga 2x lebih cepat. GDDR6 menghadirkan potensi untuk bersaing dengan VRAM HBM2, mengingat VRAM tersebut akan memiliki bandwith yang kurang lebih sama bergantung kepada jumlah memori yang digunakan. Dengan keunggulan tersebut, VRAM ini akan lebih mudah di produksi dibandingkan HBM yang harus diaplikasikan ke GPU lebih dulu.

Selain Micron, Samsung juga diberitakan telah mengembangkan GDDR6 serupa, walau saat ini baru mencapai top-speed 18 Gbps.