Samsung Rilis eUFS 2.1 Berkapasitas 1TB untuk Galaxy S10

Samsung selama ini dikenal akan divisi semikonduktornya yang selalu terdepan dalam memproduksi berbagai chip memory dan storage, salah satunya perilisan embedded Universal Flash Storage (eUFS) pertama di dunia berkapasitas 512GB di tahun 2017 yang lalu. Belum lama ini Samsung kabarnya telah merilis generasi eUFS terbarunya dengan kapasitas 1TB.

Perilisan eUFS dengan kapasitas 1TB tersebut merupakan yang pertama kali di dunia, melanjutkan prestasi yang sudah diraih sebelumnya. Samsung kembali menggunakan teknologi 3D V-NAND dengan 16 layer berkapasitas 512 Gb antar masing-masing NAND menghasilkan total kapasitas 1TB. Standar spesifikasi yang digunakan sayangnya masih versi 2.1 dan belum menggunakan UFS 3.0 terbaru.

Walaupun begitu, kecepatan yang dihadirkan sudah sangat cepat. Samsung mengklaim chip eUFS 2.1 dapat menghasilkan kecepatan transfer data hingga 1GB/s atau setara dengan dua kali kecepatan SSD berbasis SATA standar. Samsung juga telah meningkatkan performa random-speed mencapai hingga 58.000 IOPS, setara 38% lebih cepat dibandingkan versi 512GB sebelumnya.

Samsung menjelaskan beberapa hal yang bisa pengguna lakukan di smartphone yang menggunakan produknya tersebut. Seperti pengambilan foto efek slow-motion berkecepatan tinggi (960 FPS), serta rekam video resolusi 4K @60 FPS dengan lancar. Kapasitas yang besar memungkinkan pengguna bisa menyimpan video resolusi 4K dalam durasi 10 menit hingga 260 file. Berdasarkan rumor yang beredar Samsung Galaxy S10 akan menjadi produk smartphone pertama yang akan mengadopsinya.