Universal Memory: Teknologi Memori Berperforma Tinggi

Beberapa ilmuwan dari Lancaster University berhasil mengamankan paten US untuk perangkat memori elektrik milik mereka, yang diberi nama Universal Memory. Mereka menyatakan bahwa memori baru ini dapat menyelesaikan masalah krisis energi yang disebabkan oleh perkembangan teknologi. Perangkan memori ini mengkombinasikan teknologi DRAM dan memori flash, dan mampu menghilangkan dampak negatif dari kedua teknologi ini.

Manus Hayne, Profesor dari Lancaster University menjelaskan bahwa teknologi ini akan memiliki kemampuan gabungan dari DRAM dan memori flash. DRAM memiliki kemampuan penulisan data yang sangat cepat dengan kebutuhan energi yang rendah, tetapi data di dalamnya cukup “volatil” dan mudah hilang. Sedangkan memori flash mampu menyimpan data dengan baik, tetap memiliki keecepatan penulisan yang rendah, dan membutuhkan energi yang lebih besar.

Universal Memory akan memiliki kemampuan akses data yang cepat dan kemampuan penyimpanan data yang awet, tanpa membutuhkan energi yang besar seperti memori flash. Teknologi ini mampu menghilangkan efek negatif yang terdapat pada DRAM dan memori flash. Profesor Hayne juga menyatakan bahwa konsumsi daya Universal Memory akan 100 kali lebih rendah dari DRAM.

Menurut informasi dari laporan saintis di Lancaster University, pada tahun 2025 akan terjadi “tsunami of data” yang diprediksi dapat mengkonsumsi 20% dari konsumsi elektrik di seluruh dunia. Dengan kemampuannya yang tinggi dan penggunaan energi yang rendah, Universal Memory diharapkan dapat menjadi solusi energi untuk komputer industri dan data center di masa depan. Hingga saat ini dari pihak Lancaster University masih belum memberikan keterangan lebih lanjut terkait spesifikasi lengkap dari teknologi ini. Kita tunggu saja informasi lengkapnya.