Intel Selesaikan Pengembangan Fabrikasi 20A dan 18A
Baru-baru ini, Intel dikabarkan sudah menyelesaikan pengembangan fabrikasi terbarunya yaitu 20A (Ångström) dan 18A. Walaupun tahap pengembangannya sudah selesai, ini bukan berarti fabrikasinya sudah dapat diproduksi secara massal. Namun pihaknya hanya menunjukkan bahwa mereka telah berhasil menentukan persyaratan, spesifikasi desain, dan bahan material untuk kedua fabrikasi ini dapat terpenuhi.
Gunakan RibbonFET Dengan Teknologi PowerVia
Seperti yang kita ketahui, fabrikasi Intel 20A dan 18A akan menggunakan arsitektur transitor baru yang disebut RibbonFET dengan teknologi PowerVia. Secara singkatnya ini adalah implementasi mereka menggunakan transistor dengan metode Gate All Around (GAA) yaitu menumpuk transistor di satu tempat, memungkinkan kinerja wafer lebih baik di dalam tapak yang kecil.
Hal ini pun implementasinya juga tidak mudah, mengingat membawa daya dan sinyal ke transistor jika memakai metode lama sangatlah tidak efisien. Makanya mereka menyematkan teknologi PowerVia, alih-alih merutekan daya dan sinyal ke sisi depan wafer, implementasi baru ini mengirimkannya lewat sisi belakang, sehingga sinyal yang didapat efisien dan optimal.
Pengembangan ini juga nampaknya selesai lebih cepat daripada yang diperkirakan, sehingga diperkirakan Intel 20A akan hadir di awal tahun 2024 dan untuk Intel 18A yang tadinya di tahun 2025 akan maju ke pertengahan 2024.
Ingin Tiba Lebih Cepat, Gunakan Mesin Litografi Lama
Tadinya mereka juga akan menggunakan mesin litografi baru dari ASML yaitu Twinscan EXE:5200 dengan optik 0.55 numerical aperture (NA) untuk Intel 18A. Namun karena Intel ingin 18A tiba lebih cepat, akhirnya memutuskan untuk menggunakan mesin lama ASML dengan optik 0.33 NA.
Memang fabrikasi Intel 18A akan banyak mendapat benefit jika menggunakan mesin litografi yang baru, akan tetapi dengan persaingan semikonduktor yang ketat. Mau tidak mau mereka harus meyiasatinya dengan menggunakan mesin lama, yang berarti bisa memakan waktu pembuatan wafer, resiko lebih tinggi dan potensi hasil performa wafer yang lebih rendah.
More Articles
