Samsung Rencanakan Produksi Chip 300-Layer V-NAND pada 2024

Samsung dilaporkan ingin mulai memproduksi chip memori V-NAND (vertikal NAND alias 3D-NAND) dengan lebih dari 300-layer pada 2024 mendatang. Jika rencana tersebut terealisasi, maka Samsung akan mengalahkan SK Hynix dengan setahun lebih awal.

SK Hynix sebelumnya sudah mengumumkan rencana mereka untuk mulai produksi masal chip 321-layer 3D-NAND pada 2025. Namun, jika SK Hynix telah mengeluarkan pernyataan resmi, Samsung belum memberikan kabar soal generasi terbaru chip memori mereka.

Informasi itu sendiri dikutip dari laporan Seoul Economic Daily (via DigiTimes Asia) yang mengklaim punya sumber terkait dengan kabar tersebut. Lebih lanjut, dikatakan juga bahwa, meski produksi masal lebih cepat, Samsung masih akan menggunakan teknologi MLC.

Baca Juga: SK Hynix Pamer Chip Memori 321-Layer NAND Pertama di Dunia | Jagat Review

MLC atau Multi Level Cell adalah teknologi di mana Samsung bakal membuat “sandwich” memori dengan dua tumpukan. Itu artinya akan ada lebih dari 150-layer NAND per lapisnya. Sementara SK Hynix akan memakai teknologi TLC atau Triple Level Cell untuk chip 321-layer 3D-NAND mereka.

Keduanya punya kelebihan dan kekurangan masing-masing. Secara umum, TLC memiliki kapasitas penyimpanan yang lebih besar daripada MLC tetapi dengan kinerja yang lebih rendah dan umur pemakaian yang lebih pendek, sementara MLC sebaliknya.

Sayangnya belum ada informasi berapa pastinya chip “lebih dari 300-layer” dari Samsung tersebut. Sebagai informasi, layer memori terbanyak Samsung saat ini adalah 236-layer, yang mana itu empat layer lebih banyak daripada Micron dan TSMC, tapi dua layer lebih sedikit dari SK Hynix yang 238-layer. Tunggu saja informasi resminya dari Samsung ya!