Samsung Mulai Produksi Masal TLC V-NAND Generasi ke-9 Bulan Ini
Samsung Electronics telah memulai produksi massal untuk TLC (Triple-Level cell) V-NAND generasi ke-9 dengan kapasitas satu-terabit (Tb), yang pertama di industri. Dengan ukuran sel yang lebih kecil serta cetakan paling tipis di industri, V-NAND generasi ke-9 ini memiliki kepadatan bit yang meningkat sekitar 50% dibandingkan dengan generasi ke-8.
Teknologi Baru di TLC V-NAND Generasi ke-9 Samsung
Teknologi ini menciptakan jalur elektron dengan menumpuk lapisan cetakan, dan meningkatkan produktivitas fabrikasi dengan pengeboran simultan jumlah lapisan sel tertinggi dalam struktur double-stack. Samsung juga menghadirkan NAND Flash Interface terbaru yang disebut “Toggle 5.1,” yang memiliki peningkatan kecepatan input/output data sekitar 33%, dengan bandwidth hingga 3.2 gigabits-per-second(Gbps).
Baca Juga: Samsung dan Microsoft Bakal Kerjasama Lebih Jauh di Bidang AI • Jagat Review
Efisiensi daya juga telah ditingkatkan sebesar 10% dengan desain daya rendah dibandingkan dengan generasi sebelumnya, sehingga juga memiliki emisi karbon yang lebih rendah. Ini menjadikan V-NAND generasi ke-9 solusi yang optimal untuk aplikasi di masa depan.
Hadirnya teknologi V-NAND generasi ke-9 ini menjadi langkah buat Samsung untuk memperkuat posisi mereka khususnya di industri high-performance SSD, serta meningkatkan dukungan untuk PCIe 5.0. Samsung akan memulai 1Tb TLC V-NAND generasi ke-9 bulan ini, dan diikuti dengan model QLC (Quad Level Cell) di pertengahan kedua tahun ini.
More Articles
