Samsung Pakai Teknologi TSMC untuk Produksi Base Die Memori NVHBM NVIDIA

Samsung dikabarkan bekerja sama dengan TSMC untuk memproduksi base die bagi standar memori terbaru NVIDIA, yakni NVHBM. Kolaborasi ini terbilang unik, karena Samsung memiliki fasilitas fabrikasi chip sendiri, termasuk teknologi 3 nm. Namun, NVIDIA disebut mensyaratkan penggunaan proses 3 nm milik TSMC untuk komponen tersebut.

NVHBM Diklaim Lebih Kencang dari HBM4E

NVHBM merupakan pengembangan memori HBM yang mengintegrasikan pengontrol memori ke dalam tumpukan 3D. NVIDIA mengklaim teknologi ini mampu meningkatkan bandwidth hingga 30% dibandingkan HBM4E standar. Selain itu, konsumsi daya memori diklaim turun 15%, sementara area chip komputasi yang bisa digunakan meningkat hingga 25%.

Agar memenuhi persyaratan NVIDIA, Samsung kabarnya akan menyerahkan produksi base die kepada TSMC. Komponen ini berperan penting dalam menghubungkan sistem memori dengan chip komputasi, sehingga proses fabrikasinya perlu disesuaikan dengan rancangan NVIDIA. Sementara itu, produksi chip memori HBM tetap ditangani Samsung menggunakan proses fabrikasi generasi keenam di kelas 10 nm.

Samsung sendiri telah mengembangkan HBM4E dengan kecepatan hingga 16 Gbps per pin. Dengan peningkatan bandwidth yang diklaim NVIDIA, satu stack NVHBM secara teoretis dapat mencapai throughput sekitar 5,2 TB/s. Konsumsi daya yang lebih rendah juga berpotensi mengurangi panas dan memberikan ruang termal lebih besar bagi chip komputasi.

Baca Juga: ASUS Rilis ROG Zoom, Kabel Ethernet Buat Gaming dengan Bandwidth 40 Gbps! • Jagat Review

Kerja sama ini menunjukkan bahwa persaingan industri memori AI semakin melibatkan kolaborasi antarprodusen. Samsung tetap memasok memori, sementara TSMC menangani bagian base die yang membutuhkan proses fabrikasi khusus. Meski begitu, detail produk, jadwal produksi massal, dan implementasi NVHBM masih belum diketahui secara pasti.

Sumber