Fabrikasi Intel 10nm Bisa Tingkatkan Densitas 2.7x dari 14nm
Fabrikasi wafer silikon Intel 10 nm yang sudah ditunggu sejak lama disebut masih terus dikembangkan, tetapi sayangnya dengan kecepatan yang tidak sesuai dengan yang diharapkan. Perkembangan fabrikasi 10 nm ini masih sangat lambat. Namun, Intel optimis fabrikasi 10 nm ini akan membawa perkembangan yang positif dalam beberapa hal, termasuk kepadatan transistor yang meningkat. Bahkan, efek ini disebut akan berimbas baik untuk semua perusahaan desainer chip.

Berdasarkan info teknis yang didapatkan dari Tech Insights, terdapat kelompok peneliti yang berhasil melepas die dari prosesor Intel Cannon Lake Core i3-8121U yang terdapat di Lenovo Ideapad 330. Die tersebut sudah dianalisis secara mendetail dengan menggunakan electron microscope. Hasilnya, peneliti menemukan kepadatan, atau densitas, transistor sekitar 2.7x dari chip 14 nm.
Peningkatan densitas tersebut membuat chip Intel fabrikasi 10 nm dapat menampung 100.8 juta transistor per mm2. Untuk fabrikasi 10 nm ini Intel juga menggunakan teknologi FinFET generasi ke-3, dengan reduski minimum gate pitch dari 70 nm menjadi 54 nm. Sementara minimum metal pitch juga bisa diperkecil dari 52 nm menjadi 36 nm.
Selain hasil inovasi yang ditawarkan di atas tersebut, fabrikasi Intel 10 nm ini juga menawarkan proses fabrikasi yang sangat menarik. Dengan fabrikasi 10 nm yang sedang Intel kembangkan ini, dikatakan akan memberikan deepest scaled pitche baik untuk fabrikasi 10 nm dan juga 7 nm yang akan datang. Intel juga memperkenalkan metalisasi unsur kobalt (Co). Penggunaan unsur Cobalt ini dikatakan dapat menjadi alternatif Tungstat (W) yang sangat langka. Kobalt ini akan digunakan sebagai material penghubung antar layer tembaga karena tingkat resistansi yang kecil.
Berdasarkan perkiraan yang ada saat ini, fabrikasi 10 nm milik Intel ini akan mulai memasuki fasa Transistor Characterization Report pada November 2018. Itu berarti mungkin kita baru dapat melihat prosesor Intel dengan fabrikasi 10nm secara luas pada Q1/Q2 2019.













