Samsung Bakal Perkenalkan HBM4 pada 2025
Samsung baru-baru ini mengungkapkan rencana mereka untuk memperkenalkan teknologi HBM4 pada 2025 mendatang. Teknologi memori untuk kebutuhan data center dan AI tersebut diprediksi bakal menawarkan kecepatan transfer dan bandwith yang jauh lebih kencang dibandingkan HBM3E generasi sekarang.
Sang Joon Hwang, Head of DRAM Product and Technology Team di Samsung Electronics, mengatakan bahwa HBM4 dari Samsung akan mengusung teknologi yang dioptimalkan untuk kondisi suhu tinggi. Beberapa di antaranya disebutkan seperti teknik perakitan film non-konduktif (NFC) dan hybrid copper bonding (HCB).
Samsung belum mengungkapkan jadwal produksi masal dan kemampuan dari HBM4-nya itu. Diperkirakan 2025 mendatang baru sebatas perkenalan, di mana mereka bakal menjelaskan lebih detail soal teknologi serta kemampuannya. Setidaknya produksi masal kemungkinan baru dimulai pada akhir 2025 atau 2026.
HBM4 Pakai Bus Memori 2048-bit
Laporan sebelumnya menyebutkan bahwa HBM4 akan menggunakan interface memori 2048-bit. Penggunaan interface memori baru itu bakal meningkatkan bandwith secara signifikan dan pada akhirnya meningkatkan kecepatan transfer. Itu juga akan menjadi sebuah lompatan besar lantaran sejak generasi pertama HBM masih mengandalkan bus memori 1028-bit.
Sebagai informasi, HBM3E generasi sekarang dari Samsung menawarkan kecepatan transfer hingga 9,8 GT/s dengan bandwith 1.25 TB/s per stack. Produksi masal dari jenis memori tersebut sudah dimulai sejak pertengahan 2023 ini dengan salah satu konsumen utamanya adalah NVIDIA, pemimpin industri GPU akselerator AI saat ini.
More Articles
