SK hynix Rampung Garap HBM4, Punya Kecepatan Transfer 10 GT/s
SK hynix mengumumkan bahwa mereka telah rampung menggarap pengembangan HBM4 generasi terbaru. Siap diproduksi secara masal, memori bandiwdth tinggi yang ditujukan untuk kebutuhan server dan akselerator AI tersebut punya kecepatan transfer hingga 10 GT/s, lebih tinggi dari standar JEDEC.
Angka tersebut lebih tinggi 25% dari standar yang ditetapkan JEDEC untuk HBM4 yakni 8 GT/s. Kendati demikian, ini bukanlah masalah dan justru lebih bagus. Produsen lain seperti Micron misalnya juga memilih kecepatan transfer data lebih tinggi di 9,2 GT/s untuk HBM4 mereka, sementara Rambus juga di 10 GT/s.
HBM4 dari Micron itu sendiri mengusung spesifikasi interface 2.048-bit I/O, menggunakan chip DRAM yang diproduksi dengan node 1b-nm alias generasi kelima fabrikasi 10nm mereka. SK hynix mengklaim teknologi proses tersebut menggabungkan efisiensi kinerja dengan node yang sudah matang alias tingkat cacat rendah.
SK hynix masih menggunakan metode Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) dalam produksi HBM4 ini. Beberapa chip memori ditempatkan pada substrat dasar dan direkatkan dalam satu langkah reflow. Setelah itu, ruang di antara lapisan DRAM yang ditumpuk, cetakan dasar, dan substrat diisi dengan material cetakan untuk mengamankan dan melindungi struktur.
Metode MR-MUF memungkinkan SK hynix mempertahankan ketinggian 12-Hi dari susunan modul memori dan meningkatkan pembuangan panas yang butuh daya besar. Sayangnya, manufaktur memori asal Korea Selatan itu tidak mengumbar soal berapa layer DRAM pada HBM4 mereka dan kapasitasnya.
Soal klien mana yang sudah mengamankan kuota produksi HBM4 mereka juga tidak diungkapkan. Namun, kabar ini tentu akan jadi hal yang dinanti bagi raksasa seperti NVIDIA, AMD, Broadcom, dll. yang disinyalir bakal mulai memakai HBM4 pada produk-produk server dan akselerator AI pada 2026 mendatang.
More Articles
