Pakai Material Baru, CXMT Bersiap Produksi DRAM dengan Node 1a (14nm)
CXMT dikabarkan membuat pencapaian penting dalam pengembangan DRAM generasi berikutnya. Perusahaan memori asal China ini mulai menerapkan teknologi High-k Metal Gate (HKMG) pada transistor DRAM, yang bisa menjadi dasar menuju proses fabrikasi 1a atau sekitar 14nm. Teknologi tersebut digunakan untuk mengatasi masalah kebocoran arus ketika transistor dibuat semakin kecil.
Apa Fungsinya Dalam Dunia Semikonduktor?
Dalam transistor, silikon dioksida berfungsi sebagai lapisan isolator yang mengatur aliran listrik. Masalahnya, ketika transistor makin kecil, lapisan ini juga harus makin tipis sehingga listrik lebih mudah bocor. Kebocoran tersebut bisa membuat konsumsi daya dan panas meningkat.
HKMG mengatasi masalah ini dengan mengganti silikon dioksida menggunakan material high-k seperti hafnium oxide. Material ini bisa dibuat lebih tebal, tetapi tetap mampu mengendalikan listrik seperti lapisan yang sangat tipis. Alhasil, kebocoran listrik dapat dikurangi meski ukuran transistor terus diperkecil.
Selain mengganti lapisan isolator, HKMG juga menggunakan gerbang logam sebagai pengganti polysilicon. Gerbang logam membantu mengurangi kehilangan efisiensi dan memungkinkan karakteristik listrik transistor diatur dengan lebih baik. Kombinasi material HKMG dan gerbang logam membuat transistor tetap efisien ketika dimensinya diperkecil.
Baca Juga: Google AI Mode Kini Bisa Pantau Harga Tiket Pesawat dan Booking Hotel! • Jagat Review
Penerapan teknologi tersebut disebut sudah masuk ke proses G4 DRAM CXMT yang diyakini menggunakan node 1z (15nm). Teknologi serupa juga mulai diterapkan pada produk LPDDR5X miliknya. Jika pengembangannya berjalan sesuai rencana, langkah ini bisa menjadi jembatan bagi CXMT untuk beralih ke node 1a yang lebih kecil.
CXMT sendiri memang sedang agresif mengembangkan lini produk memorinya dan mengejar ketertinggalannya dengan para rival. Perusahaan tersebut dilaporkan sudah memasuki tahap produksi HBM2E dan mulai melakukan sampling HBM3 menggunakan proses G4. Mereka juga telah menyelesaikan tahap verifikasi R&D untuk chip DDR6.
More Articles
