Micron Siapkan DDR6 dengan Bandwidth 2x Lipat dan LPDDR6 yang Lebih Efisien
Micron mulai mempersiapkan generasi memori berikutnya, DDR6 dan LPDDR6, yang bakal membawa peningkatan performa sekaligus efisiensi daya. Dalam roadmap terbarunya, DDR6 ditargetkan menawarkan bandwidth lebih dari dua kali lipat DDR5, sedangkan LPDDR6 dirancang untuk meningkatkan efisiensi daya hingga lebih dari 35% dibanding LPDDR5.
Andalkan Teknologi DRAM Generasi Baru
Salah satu fondasinya adalah proses fabrikasi 1δ (1-Delta) yang dijadwalkan memasuki tahap peningkatan produksi pada paruh kedua 2027. Micron menargetkan kepadatan bit meningkat sekitar 20-an persen dibandingkan node sebelumnya, dengan dukungan teknologi High-k Metal Gate (HKMG), kontrol proses hingga skala angstrom, dan material baru.
Micron juga akan mengandalkan arsitektur sel DRAM 6F2 karena dinilai lebih memungkinkan untuk terus dikembangkan dibandingkan desain 4F2 yang semakin kompleks dan mahal. Teknologi tersebut menjadi bagian dari strategi Micron untuk meningkatkan kapasitas dan performa memori tanpa mengabaikan efisiensi biaya.
Ke depannya, Perusahaan semikonduktor asal Amerika Serikat iut juga menyiapkan wafer bonding dan High-NA EUV untuk pengembangan node berikutnya. Namun, teknologi tersebut merupakan bagian dari roadmap jangka panjang, bukan semuanya langsung digunakan pada produk DDR6 dan LPDDR6 pertama.
Baca Juga: Samsung Pakai Teknologi TSMC untuk Produksi Base Die Memori NVHBM NVIDIA • Jagat Review
Kapan DDR6 dan LPDDR6 Hadir?
LPDDR6 sudah memiliki standar resmi JEDEC sejak Juli 2025, sehingga pengembangan produknya relatif lebih maju. Memori ini diperkirakan mulai hadir di perangkat secara bertahap pada 2026–2027, meski ketersediaannya bergantung pada produsen dan platform yang mendukungnya. Sementara itu, standar DDR6 masih dalam pengembangan dan produk komersialnya diperkirakan baru mulai hadir sekitar 2028–2029.
More Articles
