Samsung Kembangkan DRAM dengan Fabrikasi Di Bawah 10nm Pertama di Industri!

Samsung Electronics dikabarkan berhasil mengembangkan teknologi DRAM terbaru dengan fabrikasi di bawah 10nm. Ini menjadi terobosan penting karena industri memori selama ini masih berkutat di kisaran 10nm dan Samsung berpotensi membuka era baru untuk membawa peningkatan performa dan efisiensi memori secara signifikan.

Teknologi baru yang disebut “10a” ini diperkirakan berada di kisaran 9,5 hingga 9,7nm. Samsung bahkan sudah berhasil menghasilkan working die, yang menjadi langkah awal menuju produksi massal. Jika sesuai rencana, pengembangan diperkirakan rampung dalam waktu dekat dan produksi massal ditargetkan mulai 2028.

Salah satu hal penting dalam teknologi ini ada pada struktur sel baru bernama 4F square cell. Berbeda dari desain lama 6F yang berbentuk persegi panjang, struktur kotak 4F membuat ukuran DRAM lebih ringkas dan efisien. Perubahan ini membuat chip jadi lebih padat hingga 30–50 persen.

Selain itu, Samsung juga mengadopsi teknologi Vertical Channel Transistor (VCT) untuk meningkatkan performa. Ditambah dengan material baru seperti Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO) juga digunakan untuk mengurangi kebocoran daya, sehingga DRAM diklaim tidak hanya lebih padat tetapi juga lebih hemat energi dibanding material silicon.

Di sisi lain, beberapa kompetitor seperti Micron disebut masih menunda adopsi struktur 4F serupa. Mereka memilih fokus ke pengembangan DRAM 3D yang diprediksi bakal jadi standar industri di masa depan.

Sementara itu, Samsung berencana melanjutkan pengembangan 10a ini ke generasi 10b, 10c, hingga teknologi 10d yang bakal pakai struktur 3D DRAM dan ditargetkan rilis pada 2029-2030. Melihat kebutuhan memori untuk AI yang masih terus naik, inovasi semacam ini tentu akan jadi sebuah kabar baik ya.

Sumber